北京北廣精儀儀器設(shè)備有限公司
          品質(zhì)是生命,服務(wù)是宗旨

          Quality is life, service is the tenet

          網(wǎng)站首頁(yè)  ◇  產(chǎn)品展示    ◇  介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試 ◇   介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀
          1. 介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測(cè)試儀

            2 使用條件 ①環(huán)境溫度: 0~40℃ ②相對(duì)溫度:≤70% ③供電電流:交流 220V±10%50Hz 2.3 儀器可連續(xù)工作 8 小時(shí) 2.4 消耗功率:約 10W 2.5 外形尺寸:長(zhǎng)寬深 355mm×320mm×145mm 2.6 重量:約 6kg(主機(jī))

            型號(hào):GDAT-A價(jià)格:面議

            時(shí)間:2024-08-13

            北京市
          2. 介電常數(shù)測(cè)試儀介質(zhì)損耗正切值測(cè)試儀

            介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀

            型號(hào):價(jià)格:面議

            時(shí)間:2024-08-13

            北京市
          3. 介質(zhì)損耗角測(cè)試儀

            介質(zhì)損耗角測(cè)試儀型號(hào):GDAT-A主要特點(diǎn):空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板,薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測(cè)。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹(shù)脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹(shù)脂大約是3, 由于樹(shù)脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會(huì)造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測(cè)量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測(cè)值偏低,。

            型號(hào):GDAT-A價(jià)格:面議

            時(shí)間:2024-08-13

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          4. 介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)x

            介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)x空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板,薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測(cè)。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹(shù)脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹(shù)脂大約是3, 由于樹(shù)脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會(huì)造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測(cè)量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測(cè)值偏低,。

            型號(hào):GDAT-A價(jià)格:面議

            時(shí)間:2024-08-12

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          5. 介電常數(shù)試驗(yàn)儀

            介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì),通過(guò)測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù);儀器的基本原理是采用高頻諧振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。

            型號(hào):GDAT-a價(jià)格:面議

            時(shí)間:2024-08-12

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          6. 介質(zhì)損耗因數(shù)試驗(yàn)儀/介電常數(shù)測(cè)試儀

            介質(zhì)損耗因數(shù)試驗(yàn)儀/介電常數(shù)測(cè)試儀 滿足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法

            型號(hào):gdat-c價(jià)格:面議

            時(shí)間:2024-08-11

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          7. 廣東介電常數(shù)測(cè)試儀介質(zhì)損耗

            廣東介電常數(shù)測(cè)試儀介質(zhì)損耗是用于衡量絕緣體儲(chǔ)存電能的性能. 它是兩塊金屬板之間以絕緣材料為介質(zhì)時(shí)的電容量與同樣的兩塊板之間以空氣為介質(zhì)或真空時(shí)的電容量之比。

            型號(hào):GDAT-A價(jià)格:面議

            時(shí)間:2024-08-11

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          主營(yíng)產(chǎn)品:電壓擊穿試驗(yàn)儀,介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀,體積表面電阻率測(cè)試儀,海綿泡沫落球回彈試驗(yàn)儀,介電常數(shù)測(cè)試儀,體積電阻率測(cè)試儀,海綿泡沫壓陷硬度試驗(yàn)儀,介電擊穿強(qiáng)度試驗(yàn)儀,橡膠塑料滑動(dòng)摩擦磨損試驗(yàn)機(jī),耐電弧試驗(yàn)儀,毛細(xì)管流變儀,自動(dòng)進(jìn)樣器,電氣強(qiáng)度試驗(yàn)機(jī),歡迎來(lái)電咨詢。
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